Pyrolyyttinen grafiittiupokas

Semixlabin pyrolyyttinen grafiitti (PG) -upokas piikarbidin yksittäiskiteiden kasvatukseen on tarkasti suunniteltu ydinkomponentti, joka on suunniteltu erityisesti seuraavan sukupolven tehoelektroniikassa käytettävien 4H- ja 6H-piikarbidipallojen fysikaaliseen höyrysiirtoon (PVT) perustuvaan kasvatukseen. Kemiallisilla höyrypinnoitustekniikoilla valmistettu pyrolyyttinen grafiitti on erittäin puhdasta, sillä se on erinomaisen lämpötasaista ja rakenteellisesti poikkeuksellisen kestävää yli 2200 °C:n lämpötiloissa. Nämä ominaisuudet tekevät PG:stä ensisijaisen materiaalin tehokkaisiin piikarbidisublimaatiouuneihin, joissa kiteinen täydellisyys, lämpötilastabiilisuus ja kontaminaation hallinta vaikuttavat suoraan kiekkojen saantoon ja sähköiseen suorituskykyyn.

SiC PVT -prosessissa pyrolyyttinen grafiittiupokas muodostaa keskeisen sublimaatiokammion, joka sisältää SiC-lähdejauheen ja määrittää kontrolloidun kiteenkasvun edellyttämät kriittiset lämpötilagradientit. PG:n anisotrooppinen lämmönjohtavuus – korkeampi tasossa oleva ja pienempi läpipaksuus – mahdollistaa lämpökentän tarkan muotoilun, mikä tukee optimoitujen aksiaalisten ja radiaalisten lämpötilaprofiilien kehittymistä ja minimoi virheiden, kuten BPD-, TSD-, mikroputkien ja pinoamisvirheiden, muodostumista. Sen erittäin alhainen huokoisuus ja lähes olematon hiukkasten irtoaminen vähentävät merkittävästi tahatonta dopingia ja kontaminaatiota, mikä varmistaa vakaan n-tyypin ja puolieristävän SiC-kiteiden tuotannon pitkien, usein useita päiviä kestävien kasvusyklien aikana.

Pyrolyyttisen grafiitin luontainen kemiallinen inerttiys on elintärkeä puhtaan sublimaatioympäristön ylläpitämisessä koko PVT-syklin ajan. Toisin kuin perinteinen grafiitti, PG ei vapauta kaasuja tai jäännösepäpuhtauksia pitkäaikaisen altistuksen aikana erittäin korkeille lämpötiloille ja tyhjiöolosuhteille. Tämä stabiilius auttaa estämään epäpuhtauksien, kuten hapen, typen ja metallisten epäpuhtauksien, kertymistä, mikä tukee korkean resistiivisyyden omaavien materiaalien valmistusta RF-laitteille sekä suuren liikkuvuuden omaavien piikarbidisubstraattien valmistusta teho-MOSFETeille, Schottky-diodeille ja korkeajännitemoduuleille.

Semixlabin valmistusprosessi varmistaa, että jokainen PG-upokas tarjoaa tasaisen tiheyden, homogeenisen CVD-kerrostuksen ja tarkat mittatoleranssit, jotka ovat olennaisia ​​toistettavan lämpömallinnuksen ja uunin pitkäaikaisen luotettavuuden kannalta. Edistykselliset työstö- ja puhdistusprosessit takaavat sileät sisäpinnat, vähentyneen hiukkasten muodostumisen ja jatkuvasti alhaisen sähköisen ja lämpövaihtelun erästä toiseen. Tämä luotettavuus on ratkaisevan tärkeää vakaiden kasvunopeuksien, ennustettavien lämpötilagradienttien ja uunin seisokkiaikojen lyhentämisen ylläpitämiseksi suurten piikarbidikiteiden tuotantolinjoilla.

Puolijohdeteollisuuden kiihdyttäessä kehitystään kohti suurihalkaisijaisia ​​piikarbidiharkkoja, niiden kysyntä kasvaa jatkuvasti. Semixlabin pyrolyyttinen grafiittiupokas piikarbidi-yksittäiskiteiden kasvatukseen tarjoaa tehokkaan ja kontaminaatiokontrollitun perustan PVT-järjestelmille, jotka on suunnattu 150 mm:n ja 200 mm:n piikarbidikiekkojen valmistukseen. Yhdistämällä erittäin korkean lämpötilan keston, suunnitellun lämpöanisotropian ja poikkeuksellisen puhtauden Semixlab mahdollistaa kiekkojen valmistajille korkeamman kiteiden laadun, pidemmän uunin käyttöiän ja paremman prosessin toistettavuuden – tukien sähköautojen, uusiutuvan energian ja teollisuuden energianmuunnosteknologioiden maailmanlaajuista laajentumista.